ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПЕДАНСУ ОРТОГЕРМАНАТУ ВІСМУТУ МЕТОДОМ ЕКВІВАЛЕНТНИХ СХЕМ

Автор(и)

  • T. M. Bochkova Дніпропетровський національний університет ім. Олеся Гончара, Ukraine
  • S. M. Plyaka Дніпропетровський національний університет ім. Олеся Гончара, Ukraine
  • N. O. Truseeva Дніпродзержинський державний технічний університет,

Ключові слова:

годограф імпедансу, ортогерманат вісмуту, перенос заряду

Анотація

За допомогою комп’ютерної апроксимації годографів імпедансу в рамках методу еквівалентних схем встановлено, що спектр імпедансу кристалів Bi4Ge3O12 за температур вищих, ніж 600 К складається з трьох півкіл. Це відповідає ланцюгу Войта у вигляді трьох послідовно з’єднаних паралельних RC-схем. Зроблено припущення, що високочастотний процес переносу заряду обумовлений дірковою провідністю в об’ємі зразка кристала, а середньочастотний пов’язаний з міграцією об’ємного заряду, що виникає біля контактів за рахунок збіднення основними носіями заряду внаслідок рекомбінації.

Посилання

Экспортно-ориентированное производство сцинтилляционных элементов BGO / Я.В.Васильев, Г.Н.Кузнецов, Ю.Г.Стенин, В.Н.Шлегель // Материалы электронной техники.  2001.  № 3.  С.1-8.

Marinova V. Light induced properties of ruthenium-doped Bi4Ge3O12 crystals / V.Marinova, Shiuan Huei Lin, Ken Yuh Hsu // J.Appl.Phys.  2005.  Vol. 98.  P.113527(15).

Optical and holographic properties of Fe+Mn co-doped Bi4Ge3O12 crystals / V.Marinova, D.Petrova, Shiuan Huei Lin, Ken Yuh Hsu // Optics Communs.  2008.  Vol. 281.  P.37-43.

Bochkova T.M. Unipolar injection currents in Bi4Ge3O12 single crystals / T.M.Bochkova, S.N.Plyaka, G.Ch.Sokolyanskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2003. – V. 6, № 4. – P.461-464.

Bochkova T.M. Сharge transport in bismuth orthogermanate crystals / T.M.Bochkova, S.N.Plyaka // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2011. – V. 14, № 2. – P.170-174.

Бочкова Т.М. Формування просторових зарядів у кристалах Bi4Ge3O12 / Т.М.Бочкова, С.М.Пляка // Вісник ДНУ. – 2012. – Т.20. – Вип.19, № 2. – С.119-124.

Бочкова Т.М. Особенности процессов переноса заряда в кристаллах Bi4Ge3O12 / Т.М.Бочкова, С.Н.Пляка // Физика диэлектриков: ХШ междунар. конф., 2-6 июня 2014 г.: материалы. – Санкт-Петербург, 2014. – С.1.4.

Macedo Z.S. Characterization of Bi4Ge3O12 Single Crystals by Impedance Spectroscopy / Z.S.Macedo, A.L.Martinez, A.K.Hernandes // Materials Research.  2003.  Vol. 6, № 4.  P.577-581.

Бочкова Т.М. Тепловая поляризация в ортогерманате висмута / Т.М.Бочкова, С.Н.Пляка // Вісник ДНУ. – 2008. – Т.15. – № 2/2. – С.106-109.

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-10-03

Номер

Розділ

Радіоелектроніка